方法108
スリップリングの絶縁抵抗および接触抵抗試験
1. 試験目的
導電性リングとブラシ間、導電性リングとハウジング間、および導電性スリップリングアセンブリの各回路における導電性リングとブラシ間の接触抵抗を測定する。
2. 試験機器および装置
接触抵抗測定器;
定電流源;
デジタルボルトメーター;
発光オシロスコープまたはメモリ機能付きオシロスコープ;
試験用ターンテーブル;
信号源;
500Vメガー。
3. 試験環境条件
温度環境: 20 ± 5℃;
相対湿度: ≤60%;
試験は適切に接地し、近傍に強い磁場がないこと。
4. 試験方法
4.1 スリップリング絶縁抵抗測定
500Vメガーを使用して、各導電性リング間および導電性リングとハウジング間の抵抗を測定する。
4.2 スリップリング接触抵抗測定
4.2.1 スリップリングの静的接触抵抗値
ループ（リングとブラシ）の両端を接触抵抗計に接続する。スリップリングを時計回りおよび反時計回りに1回転させ、45°間隔でループの接触抵抗値 Ri (i=1,…,16) を順次測定する。最大値 Rm を取り、リード線の抵抗値 R₀ を差し引く。これがループの静的接触抵抗値である。
式中: Rc — 静的接触抵抗、単位 Ω;
Rm — 最大ループ抵抗、単位 Ω;
R₀ — リード線の抵抗、単位 Ω。
4.2.2 スリップリング接触抵抗の変化
a. 方法1
スリップリングアセンブリをターンテーブルに取り付け、スリップリング（またはブラシ）を10 r/min の速度で5分間均一に回転させる。次に、各ループに10 mA の安定した直流電源を印加し、発光オシロスコープで電圧変化曲線を取得する。順方向および逆方向の回転をそれぞれ1回行い、スリップリング接触抵抗の変化を計算する。
式中: ΔRc — 接触抵抗の変化、単位 mΩ;
Up — ピーク間電圧、単位 μV;
I — ループ電流、単位 mA;
b. 方法2
方法1と同じ条件下で、接触抵抗計を使用して各ループの接触抵抗の変化を測定する。
方法108
スリップリングの絶縁抵抗および接触抵抗試験
1. 試験目的
導電性リングとブラシ間、導電性リングとハウジング間、および導電性スリップリングアセンブリの各回路における導電性リングとブラシ間の接触抵抗を測定する。
2. 試験機器および装置
接触抵抗測定器;
定電流源;
デジタルボルトメーター;
発光オシロスコープまたはメモリ機能付きオシロスコープ;
試験用ターンテーブル;
信号源;
500Vメガー。
3. 試験環境条件
温度環境: 20 ± 5℃;
相対湿度: ≤60%;
試験は適切に接地し、近傍に強い磁場がないこと。
4. 試験方法
4.1 スリップリング絶縁抵抗測定
500Vメガーを使用して、各導電性リング間および導電性リングとハウジング間の抵抗を測定する。
4.2 スリップリング接触抵抗測定
4.2.1 スリップリングの静的接触抵抗値
ループ（リングとブラシ）の両端を接触抵抗計に接続する。スリップリングを時計回りおよび反時計回りに1回転させ、45°間隔でループの接触抵抗値 Ri (i=1,…,16) を順次測定する。最大値 Rm を取り、リード線の抵抗値 R₀ を差し引く。これがループの静的接触抵抗値である。
式中: Rc — 静的接触抵抗、単位 Ω;
Rm — 最大ループ抵抗、単位 Ω;
R₀ — リード線の抵抗、単位 Ω。
4.2.2 スリップリング接触抵抗の変化
a. 方法1
スリップリングアセンブリをターンテーブルに取り付け、スリップリング（またはブラシ）を10 r/min の速度で5分間均一に回転させる。次に、各ループに10 mA の安定した直流電源を印加し、発光オシロスコープで電圧変化曲線を取得する。順方向および逆方向の回転をそれぞれ1回行い、スリップリング接触抵抗の変化を計算する。
式中: ΔRc — 接触抵抗の変化、単位 mΩ;
Up — ピーク間電圧、単位 μV;
I — ループ電流、単位 mA;
b. 方法2
方法1と同じ条件下で、接触抵抗計を使用して各ループの接触抵抗の変化を測定する。
